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英雄联盟lol掉帧卡顿的解决方法,只需优化这4步:500W寬頻帶線性放大器于HF頻帶,要得到500W之輸出功率

英雄联盟冠军皮肤 www.uzqdl.icu 發布時間:2015-01-24 10:26:51  來源:英雄联盟冠军皮肤  作者:  更新20191024 075915

2M~30MHZ,500W寬頻帶線性放大器 于HF頻帶,要得到500W之輸出功率,有將數100W輸出的功率放大器單體(Power Amp Unit)使用功率分配/合成網路(Network)予以合成的方法,但是要制作損失少的網路,多少需要點技術。圖中是以4個功率MOS FET組成并聯/推挽(Parallel/Push-pull) 結構,因此不以功率分配/合成網絡就可以得到輸出500W以上之功率。輸入、輸出匹配 電路利用RF變壓器采寬頻帶設計,而且由于有負回授之結構,因此功率增益在2M~30MHZ之間有1~1.5db范圍之平坦性(Flatness)。

HZ.gif
MRF150為Motorola 公司的功率MOS FET,又稱為TMOS FET,其在電源電壓50V時具 有輸出150W之性能,如圖所示,此外亦有同樣輸出150W情形下,只需電源電壓28V的MRF140FET,因此可依使用DC電源電壓的不同選用,但是使用MRF140時,閘極偏壓電 路及輸入、輸出變壓器的阻抗變換比,調諧用電容器 常數等就需要稍加變更,但是可以使用相同的基本電 路及電路基板。但是,所謂的并聯推挽接法對功率MOS FET是適合的,而雙極三極管則并不見得實用,這是因為雙極三極管射極接地的輸入阻抗大約是同等級FET源極接地的1/5~1/10左右所致。 然而,復數個FET并聯接著使用時,若使用單位增益(Unity Gain)頻率高的元件的話,由 于并聯阻抗及閘-洩極間容量之關系會形成共振電路,有可能引起振蕩,此類振蕩是因為比 放大器頻帶寬度還高的頻率產生360°相移(Phase Shift),結果因FET的洩-閘極間容 量Crss 引起振蕩,要防止這類振蕩,可在不影響放大器增益之情形下,于閘極插入數值低的無感電阻。 
 

 


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  • 不錯 匿名 于2016-11-13 10:34:28發布
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